买卖IC网 >> 产品目录 >> SI5975DC-T1 MOSFET 12V 4.1A 2.1W datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

SI5975DC-T1

库存数量：可订货
制造商：Vishay/Siliconix
描述：MOSFET 12V 4.1A 2.1W
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET 12V 4.1A 2.1W
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制造商 Vishay/Siliconix
晶体管极性 P-Channel
汲极/源极击穿电压 12 V
闸/源击穿电压 +/- 8 V
漏极连续电流 3.1 A
电阻汲极/源极 RDS（导通） 86 mOhms
配置 Dual
最大工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 1206-8 ChipFET
封装 Reel
相关资料
属性
链接
代理商 SI5975DC-T1
SI5975DC-T1-E3
SI5975DC-T1-GE3
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  • SI5975DC-T1 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价